- Katılım
- 7 Ocak 2026
- Mesajlar
- 21,609
- Tepkime puanı
- 0
- Puanları
- 1
- Yaş
- 38
- Konum
- İstanbul
- Web sitesi
- www.hepsigundem.com
Samsung, 10 nanometre altı üretim teknolojisini kullanan dünyanın birinci bağımsız DRAM modülünü muvaffakiyetle üretti. Şirket, bu yeni teknolojiyle birlikte bellek kapasitesinde değerli bir artış hedefliyor.
DRAM sanayisi uzun müddettir entegre devre üretimi için 10nm süreç teknolojisine güveniyordu. Samsung, 10a olarak isimlendirilen yeni kuşak üretim süreciyle bu hududu aşarak tek haneli nanometre düzeyine inmeyi başardı.
Yeni 4F Hücre Yapısı ve VCT Teknolojisi
Samsung, 10a üretim sürecinde 4F kare hücre yapısı ve Dikey Kanal Transistörü (VCT) teknolojisini birinci kere uyguladı. Bu teknik yenilikler sayesinde üretim sürecinin 9.5 ile 9.7nm ortasına ölçeklenmesi bekleniyor.
Mevcut DRAM eserlerinde kullanılan 6F yapısı, 3Fx2F ölçülerinde dikdörtgen bir blok oluşturuyor. 4F yapısına geçiş, 2Fx2F boyutlarında daha kare bir yapı sunarak hücre yoğunluğunu yüzde 30 ile yüzde 50 ortasında artırıyor.
Bu yapısal değişiklik, yalnızca daha ağır bir kapasite sağlamakla kalmıyor, tıpkı vakitte güç tasarrufuna da katkıda bulunuyor. Samsung, bu yeni teknolojide silikon yerine İndiyum Galyum Çinko Oksit (IGZO) üzere yeni gereçlerden yararlanıyor.
IGZO kullanımı, daralan hücrelerdeki sızıntıları azaltarak data tutarlılığını müdafaaya yardımcı oluyor. Şirket, 10a DRAM geliştirme sürecini bu yıl içinde tamamlamayı ve 2028 yılında seri üretime geçmeyi planlıyor.
Gelecek Kuşak DRAM Yol Haritası
Samsung, 4F hücre yapısını 10a jenerasyonunda kullanmaya başlayacak ve bu teknolojiyi 10b ile 10c kuşaklarında daha da geliştirecek. 10d DRAM kuşağı ile birlikte ise 2029-2030 yılları ortasında 3D DRAM teknolojisine geçiş yapılması hedefleniyor.
Sektördeki başka üreticiler farklı stratejiler izliyor. Micron üzere rakipler 4F planlarını beklemeye alarak direkt 3D DRAM teknolojisine odaklanmayı tercih ediyor.
Çinli üreticiler ise gelişmiş litografi ekipmanlarına erişim kısıtlamaları nedeniyle 3D DRAM üretiminde zorluklarla karşılaşıyor. Lakin 3D DRAM dizaynının 3D NAND yapısına benzerliği, bu üreticiler için bir umut kaynağı olarak görülüyor.
Artan yapay zeka talebini karşılamak maksadıyla 3D DRAM geliştirme çalışmaları dünya genelinde sürat kazanıyor. Samsung’un bu yeni teknolojisi, bellek pazarındaki rekabetin seyrini değiştirecek üzere görünüyor.
Sizce Samsung’un bu yeni 4F hücre yapısı, bellek teknolojilerinde beklenen büyük değişimi başlatacak mı?
Shiftdelete
The post Samsung’dan 10nm Altı DRAM Teknolojisinde İhtilal first appeared on HepsiGündem.COM " Gündem,Güncel Haberler Burada ".
Okumaya devam et...
DRAM sanayisi uzun müddettir entegre devre üretimi için 10nm süreç teknolojisine güveniyordu. Samsung, 10a olarak isimlendirilen yeni kuşak üretim süreciyle bu hududu aşarak tek haneli nanometre düzeyine inmeyi başardı.
Yeni 4F Hücre Yapısı ve VCT Teknolojisi
Samsung, 10a üretim sürecinde 4F kare hücre yapısı ve Dikey Kanal Transistörü (VCT) teknolojisini birinci kere uyguladı. Bu teknik yenilikler sayesinde üretim sürecinin 9.5 ile 9.7nm ortasına ölçeklenmesi bekleniyor.
Mevcut DRAM eserlerinde kullanılan 6F yapısı, 3Fx2F ölçülerinde dikdörtgen bir blok oluşturuyor. 4F yapısına geçiş, 2Fx2F boyutlarında daha kare bir yapı sunarak hücre yoğunluğunu yüzde 30 ile yüzde 50 ortasında artırıyor.
Bu yapısal değişiklik, yalnızca daha ağır bir kapasite sağlamakla kalmıyor, tıpkı vakitte güç tasarrufuna da katkıda bulunuyor. Samsung, bu yeni teknolojide silikon yerine İndiyum Galyum Çinko Oksit (IGZO) üzere yeni gereçlerden yararlanıyor.
IGZO kullanımı, daralan hücrelerdeki sızıntıları azaltarak data tutarlılığını müdafaaya yardımcı oluyor. Şirket, 10a DRAM geliştirme sürecini bu yıl içinde tamamlamayı ve 2028 yılında seri üretime geçmeyi planlıyor.
Gelecek Kuşak DRAM Yol Haritası
Samsung, 4F hücre yapısını 10a jenerasyonunda kullanmaya başlayacak ve bu teknolojiyi 10b ile 10c kuşaklarında daha da geliştirecek. 10d DRAM kuşağı ile birlikte ise 2029-2030 yılları ortasında 3D DRAM teknolojisine geçiş yapılması hedefleniyor.
Sektördeki başka üreticiler farklı stratejiler izliyor. Micron üzere rakipler 4F planlarını beklemeye alarak direkt 3D DRAM teknolojisine odaklanmayı tercih ediyor.
Çinli üreticiler ise gelişmiş litografi ekipmanlarına erişim kısıtlamaları nedeniyle 3D DRAM üretiminde zorluklarla karşılaşıyor. Lakin 3D DRAM dizaynının 3D NAND yapısına benzerliği, bu üreticiler için bir umut kaynağı olarak görülüyor.
Artan yapay zeka talebini karşılamak maksadıyla 3D DRAM geliştirme çalışmaları dünya genelinde sürat kazanıyor. Samsung’un bu yeni teknolojisi, bellek pazarındaki rekabetin seyrini değiştirecek üzere görünüyor.
Sizce Samsung’un bu yeni 4F hücre yapısı, bellek teknolojilerinde beklenen büyük değişimi başlatacak mı?
Shiftdelete
The post Samsung’dan 10nm Altı DRAM Teknolojisinde İhtilal first appeared on HepsiGündem.COM " Gündem,Güncel Haberler Burada ".
Okumaya devam et...